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SMK 보고서

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이중 구조의 나노점을 갖는 광전소자 및 그 제조방법

본 발명은 본 발명은 이중 구조의 나노점을 형성하여 전자와 정공이 구속되는 밀도를 높임으로써 발광과 수광하는 광전효과를 증가시킨 광전소자 및 그 제조방법을 제공하는 것으로, 반도체 기판상에 형성된 전자주입층, 나노점 및 전공주입층을 포함하여 구성되는 광전소자에 있어서, 나노점은 외부 나노점과 내부 나노점의 이중 구조로 이루어진 광전소자와 ...

  • 출원인한국전자통신연구원(10-2002-0052210)
  • 작성일 2013.05.10
  • 조회수997

269

질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법

본 발명은 질화물 반도체 광전 소자에 있어서, 실리콘 기판 및 상기 기판위에 형성된, 자발 형성된 질화물 반도체 나노입자가 포함되는 비정질 질화실리콘층을 구비하는 질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법에 관한 기술로, 질화물 반도체 나노상 광전소자 및 그 제조방법은 질화물 반도체에 있어서 종래의 질화물 반도체의 문제점을 해결하여 결...

  • 출원인광주과학기술원(10-2002-0071081)
  • 작성일 2013.05.10
  • 조회수880

268

나노 와이어 트랜지스터 및 그의 제조 방법

본 발명은 나노 와이어 수용홈을 형성하여 나노 와이어의 형성시 나노 와이어의 성장 제어를 용이하게 함으로써, 일정한 공간에 일정한 크기의 나노 와이어가 형성되게 할 수 있는 나노 와이어 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 기술

  • 출원인한양대학교 산학협력단, 경기대학교 산학협력단(10-2010-0098934)
  • 작성일 2013.05.10
  • 조회수1,344

267

나노스케일 다중접합 양자점 소자 및 그 제조방법

본 발명은 통상의 리소그래피와 식각을 이용해 여러 개의 패턴을 만들고 패턴과 패턴 사이의 공간에 전도층을 형성한 후 연마 공정을 거쳐 이를 새로운 패턴으로 만듦으로써, 기존의 공정을 그대로 사용하면서도 패턴의 집적도를 증가시키는 나노스케일 다중접합 양자점 소자 및 그 제조방법에 관한 기술

  • 출원인충북대학교 산학협력단(10-2006-0097768)
  • 작성일 2013.05.09
  • 조회수1,027

266

수직구조의 탄소나노튜브를 이용한 전자소자 및 그제조방법

본 발명은 수직구조의 탄소나노튜브(Carbon nanotubes, CNT)를 적용한 전자소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 수직구조의 탄소나노튜브 전자소자 제조방법으로, 탄소나노튜브 채널을 수직으로 성장시켜 탄소나노튜브 채널이 노출되도록 절연막을 패터닝한 후 실리콘 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 기술수직구조의 탄소나...

  • 출원인한국전자통신연구원(10-2007-0057150)
  • 작성일 2013.05.09
  • 조회수1,221

265

단전자 플렉시블 다기능 논리회로 및 이것을 이용한 소자

본 발명은 적어도 제1 및 제2 단전자 트랜지스터(Single Electron Transistor)와 동수의 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 전류의 방향을 직렬 또는 병렬로 전환할 수 있게 하고, 단전자 트랜지스터(SET)의 고유 특성인 쿨롱 진동을 이용하여 다중치 신호로 연산 가능하게 함으로써, 한 개의 논리 회로로 NAND, OR, N...

  • 출원인충북대학교 산학협력단(10-2006-0130097)
  • 작성일 2013.05.08
  • 조회수1,081

264

비휘발성 메모리 소자 및 제조방법

본 발명은 비휘발성 메모리 및 그 제조방법에 관한 것으로 비휘발성 메모리 셀, 이를 포함하는 셀 어레이는 전하저장부가 게이트 또는 게이트라인에 의해 완전히 포위됨으로써, 인접한 다른 게이트 또는 게이트라인 내부에 형성된 셀에 의한 메모리 동작으로 발생할 수 있는 셀간 간섭현상을 최소화할 수 있는 기술

  • 출원인한국화학기술원(10-2007-0024835)
  • 작성일 2013.05.08
  • 조회수812

263

플래시 메모리 소자 및 제조방법

본 발명은 극소(나노) 플래시 메모리 소자에 관한 것으로서, 더 상세하게는 플래시 메모리 소자의 스케일링 다운 특성을 개선하기 위해 이중-게이트 소자를 구현하여 제반 메모리 특성을 개선한 플래시 메모리 소자 및 제조방법에 관한 것

  • 출원인한국과학기술원(10-2001-0054055)
  • 작성일 2013.05.08
  • 조회수839

262

비휘발성 기능을 갖는 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM [1]

본 발명은 고집적/고성능 DRAM을 구현하기 위한 비휘발성 기능을 갖는 단일 트랜지스터 플로팅 바디 DRAM 셀 소자에 관한 것으로 RAM 셀 소자는 상기 DRAM 셀 소자의 정보가 저장되는 플로팅 바디, 상기 플로팅 바디의 양 측면에 각각 형성된 소스와 드레인, 상기 플로팅 바디의 상부면에 형성되는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막의 ...

  • 출원인경북대학교 산학협력단(10-2077-0118227)
  • 작성일 2013.05.06
  • 조회수953

261

나노 구조물 상에 유기 박막을 형성하기 위한 방법

본 발명은 수직 배열 성장된 산화아연(ZnO) 나노 구조체 표면에 유기 박막을 균일하게 형성하는 방법에 관한 것으로, 유기물이 산화물 나노 구조물에 성막되도록 초임계 상태를 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발명에 관한 것이다.

  • 출원인전자부품연구원(10-2010-137862)
  • 작성일 2013.05.06
  • 조회수1,056