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SMK 보고서

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phase1. 분류 기준 설정 / phase2. Data 확보 / phase3. 분류 및 우수기술 발굴 / phase4. 시장진입전략 Guide(SMK)
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금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및

본 발명은 금속/반도체 나노막대 이종구조를 이용한 전극 구조물 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 예를 들어 산화아연 반도체 나노막대의 특정 부위에 나노미터 크기의 금속을 선택적으로 증착시키고, 증착된 금속 물질의 일함수와 금속/산화아연의 계면 특성을 적절히 조절해 줌으로써, 접촉저항이 적은 오믹(Ohmic) 전극이나, 정류 특성을 보이는...

  • 출원인포항공과대학교(10-2003-0036740)
  • 작성일 2013.05.27
  • 조회수954

279

산화아연 나노막대 마스크를 이용한 발광다이오드의 제조방법

본 발명은 광 추출 효율이 우수한 나노 패턴 구조를 형성한 발광다이오드의 제조방법에 관한 기술로서 나노 패턴 구조를 형성하기 위한 마스크를 기존의 전자빔 리소그라피 방식에 비해 대면적으로 저렴한 비용으로 형성할 수 있는 방법에 관한 기술이다.

  • 출원인포항공과대학교 산학협력단(10-2010-0139613)
  • 작성일 2013.05.27
  • 조회수1,065

278

상부거울층 양단부에 확산영역을 구비하는 장파장표면방출

본 발명은 1.3㎛ 내지 1.6 ㎛ 대역의 장파장 표면방출 레이저 소자에 관한 것으로서, 특히 공진기 내에서의 흡수 손실을 방지하고, 전류의 흐름을 효과적으로 조절할 수 있는 Zn 확산 고효율 장파장 표면방출 레이저에 관한 기술이다.

  • 출원인한국전자통신연구원(10-2000-0076661)
  • 작성일 2013.05.22
  • 조회수1,078

277

고휘도 다이오드 및 그 제조 방법

본 발명은 광전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 높은 광출력 및 넓은 파장 대역을 갖는 고휘도 다이오드(Super luminescent diode ; SLD) 및 그 제조 방법에 관한 것이다 .

  • 출원인한국전자통신연구원(10-2007-0094558)
  • 작성일 2013.05.22
  • 조회수985

276

장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서

본 발명은 전파 손실이 적고, 감도 및 검출 한계가 높고, 분석 속도가 빠르며 소형 또는 경량 시스템 등 다양한 크기의 센서로 적용 가능한 장거리 표면 플라즈몬 이중 금속 광도파로 센서를 제공하는 기술이다.

  • 출원인한양대학교 산학협력단(10-2007-0024782)
  • 작성일 2013.05.22
  • 조회수1,139

275

발광 가능한 실리콘 나노점 박막 제조 장치 및 방법

본 발명은 플라즈마 화학기상증착(PECVD) 방식으로 실리콘(Si)을 기반으로 하는 매트릭스(Matrix) 박막을 증착하는 동시에 스퍼터링(Sputtering) 방식으로 증착된 매트릭스 박막에 어븀(Er)과 같이 발광특성을 갖는 물질을 도핑함으로써 손상을 입지않으며 도핑 농도가 균일한 실리콘 나노점 박막을 얻는다. 본 발명에 따라 얻어진 ...

  • 출원인한국전자통신연구원(10-2003-0011016)
  • 작성일 2013.05.14
  • 조회수970

274

인터밴드 터널링 부밴드 천이 반도체 레이저

본 발명은 부밴드 천이 반도체 레이저(intersubband transition laser)에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 반도체 기판; 반도체 기판 상에 형성된 제 1 클래딩층, 활성영역 구조층 및 제 2 클래딩층을 포함하며, 활성영역구조층이 반도체 브로큰 에너지 밴드갭(broken energy bandgap)을 가지는 양자우물층 ...

  • 출원인한국전자통신연구원(10-2006-0125065)
  • 작성일 2013.05.14
  • 조회수1,219

273

광양자테 레이저 및 그 제조 방법

본 발명은 질화갈륨(GaN)계 광양자테 레이저에 관한 것으로, 3차원 수직공진형 다중 모드 레이저를 발진시키기 위하여, 본 발명은, 사파이어 기판 상부에 n-GaN층, 활성층, p-GaN층, 반사막을 순차 형성한 후, 그 상부에 지지기판을 접착시키고, 이후 사파이어 기판을 제거하며, 활성층이 드러나도록 선택 에칭한 후에, 보호막을 형성하고...

  • 출원인포항공과대학교 산학협력단(10-2008-0032967)
  • 작성일 2013.05.14
  • 조회수1,087

272

실리콘 발광 소자

도핑층과 DBR(Distributed Bragg Reflector)을 동시에 채용한 실리콘 발광 소자에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 실리콘 발광 소자는 상호 반대 방향의 제1 면 및 제2 면을 가지는 활성층을 포함한다. 상기 활성층의 제1 면에는 제1 반사부가 대향하고 있고, 상기 활성층의 제2 면에는 제2 반사부가 대향하고 있다. ...

  • 출원인한국전자통신연구원(10-2003-0096218)
  • 작성일 2013.05.13
  • 조회수875

271

나노 와이어, 이를 이용한 발광 다이오드, 및 이의 제조 방법

본 발명의 일 실시예에 따른 나노 소재는 넓은 밴드 갭과 높은 여기자 결합 에너지를 갖는 ZnO를 기반으로한 P형 나노 소재를 제공할 수 있도록, ZnO를 주성분으로 하는 코어, 및 상기 코어의 외측에 코팅된 TiXOY를 주성분으로 하는 산화 티탄층을 포함하고, Y/X는 1보다 더 크고 2보다 더 작도록 이루어진다.

  • 출원인한국화학연구원, 한국기계연구원(10-2010-0122707)
  • 작성일 2013.05.13
  • 조회수1,012