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SMK 보고서

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'포토리쏘그래피법과 드라이 에칭법을 이용한 탄소나노튜브 다층막 패턴의 제조방법'에 대한 전략가이드

  • 작성자나노인
  • 등록일 2013.11.04
  • 조회수2066

특허명

포토리쏘그래피법과 드라이 에칭법을 이용한 탄소나노튜브 다층막 패턴의 제조방법

나노분류

나노장비/기기

출원번호

10-2004-0021031

출원인

한국과학기술원

본 발명은 아민기가 노출된 기질 위에 카르복실기가 노출된 CNT를 아미드 결합을 통해 반복적으로 고정하여 CNT 다층막 필름을 형성한 다음, 상기 CNT 다층막 필름으로부터 포토리쏘그래법과 드라이 에칭기술을 이용하여 CNT 다층막 패턴을 형성하는 방법 및 상기 CNT 다층막 패턴을 열처리하여 표면에 결함부위(defect site)가 없는 CNT 다층막 패턴을 수득한 다음, 상기 결함부위가 없는 CNT 다층막 패턴에, 계면활성제류 또는 파이-스태킹 (π-stacking)이 가능한 부위를 가지고 있는 화학물질을 물리적으로 고정시켜 다양한 화학적 작용기가 노출되어 있는 CNT 다층막 패턴을 제조하는 방법에 관한 것이다.

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