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'광양자테 레이저 및 그 제조 방법'에 대한 전략가이드

작성자 나노인

등록일 2013.05.14

조회수 809

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특허명 광양자테 레이저 및 그 제조 방법 나노분류 나노전자
출원번호 10-2008-0032967 출원인 포항공과대학교 산학협력단
본 발명은 질화갈륨(GaN)계 광양자테 레이저에 관한 것으로, 3차원 수직공진형 다중 모드 레이저를 발진시키기 위하여, 본 발명은, 사파이어 기판 상부에 n-GaN층, 활성층, p-GaN층, 반사막을 순차 형성한 후, 그 상부에 지지기판을 접착시키고, 이후 사파이어 기판을 제거하며, 활성층이 드러나도록 선택 에칭한 후에, 보호막을 형성하고, 그 외부에 폴리이미드 코팅 및 폴리이미드 평탄화를 수행한 후, 그 상부에 상부 전극 및 분산형 브랙 반사막을 형성하여 광양자테 레이저를 제조함으로써, 저전력 디스플레이 소자에 적용할 수 있고, 질화갈륨계 다중 양자우물 구조의 상하에 반사막을 형성하여 3차원 수직 공진형 다중 모드 레이저를 발진시킴으로써, 광의 스페클(speckle) 현상을 방지하며, 집광이 조절되는 부드러운 3차원 광을 발생시킬 수 있는 것이다.

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